Существуют разные виды транзисторов на базе полупроводников n– или p-типа. Мы сосредоточим внимание на биполярном транзисторе, который легче описать.
Такой транзистор состоит из трех полупроводников, расположенных друг за другом, разного типа легирования: первый n-типа, второй p-типа, третий n-типа (➙ рис. 18.4). Такой прибор называют транзистором n-p-n типа. Существуют также транзисторы p-n-p типа, принцип работы которых идентичен.
Левая часть (n) называется эмиттером, центральная часть (p) называется базой, правая часть (n) называется коллектором. Вся установка очень похожа на два диода, положенные валетом: диод n-p эмиттер-база с одной стороны и диод p-n база-коллектор с другой стороны.
Рис. 18.4 – Принцип действия биполярного транзистора
Перемещение свободных электронов (черные точки) показано пунктиром. Перемещение дырок (белые точки) показано сплошными стрелками.
(а) – движение зарядов начинается от присутствия батарейки. Удаляясь к внешней стороне транзистора, электроны коллектора должны были бы вызвать появление положительного заряда возле базы, тем самым блокировав движение.
Но здесь электроны, пришедшие от эмиттера, достигают коллектора, уравновешивая положительный заряд: ток может идти, несмотря на то, что правая часть транзистора находится в запирающем направлении (b). Чем сильнее ток iB, тем больше электронов покидают базу по проводу: это притягивает больше электронов от эмиттера. Для каждого электрона, покидающего базу, β электроны эмиттера двигаются к коллектору, пока один из них не остановится на базе, компенсировав убывший электрон. Таким образом, ток коллектора iC пропорционален току базы iB и гораздо сильнее: iC = βiB. Ток iB был усилен.
Теперь подключим две батарейки (➙ рис. 18.4.а) так, чтобы:
• диод эмиттер-база был в прямом направлении (плюс базы p и минус эмиттера n);
• диод база-коллектор был в запирающем направлении («плюс» коллектора n и «минус» базы p).
Со стороны прямого направления свободные электроны эмиттера стремятся достичь базы: ток проходит без проблем. С запирающей же стороны в коллекторе n появляется положительный заряд из-за утечки свободных электронов в сторону батареи. Если бы этот диод запирающего направления был один, положительный заряд со стороны n не мог бы быть переполнен, потому что ни один свободный электрон не мог бы прийти со стороны p.
Но здесь свободные электроны прибывают именно от эмиттера к базе: вместо того чтобы идти к проводу, соединенному с базой, они в основном продолжают путь к положительному заряду коллектора. Таким образом, внутри ток циркулирует от базы к коллектору благодаря свободным электронам, прибывшим от эмиттера.
В итоге очень малое число электронов, пришедших от эмиттера, выходят из транзистора через базу: большинство выходит через коллектор. Таким образом, ток в базе iB очень слабый относительно тока в коллекторе iC (➙ рис. 18.4.b).
Уточним: предположим, что мы пустим ток iB. Каждый электрон базы, который проходит по проводу, создает положительный заряд внутри базы (нехватка электронов). Это притягивает электрон из эмиттера, но он вполне может пересечь базу и достичь коллектора, то есть не компенсируя положительный заряд базы. Понадобится, быть может, сто электронов, прежде чем один из них останется на базе и аннулирует положительный заряд. Таким образом, на каждый электрон, покидающий базу, приходится сто электронов, которые приходят в коллектор и выходят из транзистора таким способом: ток iC в сто раз сильнее, чем вынужденный ток iB.
Мы только что произвели усиление тока: ток коллектора прямо пропорционален вынужденному току базы. Отметим коэффициент пропорциональности β: iC = βiB.
β – ключевой параметр транзистора.
Легко представить, что увеличение силы тока, вызванное транзистором, может превратиться в усиление напряжения с помощью сопротивления (напряжение пропорционально величине сопротивления).
В дальнейшем мы изобразим на схеме увеличение напряжения с помощью «коробки» (➙ рис. 18.5): появляются только входное вынужденное напряжение и выходное усиленное. Между ними двумя внутри коробки существует целый набор транзисторов и напряжений, позволяющих произвести желаемое усиление.
Отметим, что усиление напряжения не проходит без энергозатрат: чтобы транзистор работал, необходимо его питание с помощью генератора постоянного напряжения, что видно на рис. 18.4. Как и положено, в ходе этой операции никакой энергии не создается. Усиление сигнала может быть целью само себе, но транзистор существует не только для этого. В частности, он является составной частью основы компьютера, именно с него началась новая эра цифровых информационных технологий. В дальнейшем мы рассмотрим основной принцип преобразования сигнала в цифровую форму и преимущества этого.
Рис. 18.5 – Схематичное изображение усиления напряжения